| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 100ns, 50ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 210 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 静态电流 | 270 µA |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 下降时间(Max) | 90 ns |
| 上升时间(Max) | 170 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧和低侧配置。
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.13 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.12 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2101PBF 双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
International Rectifier（国际整流器）
600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2101PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2101SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
