类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 20.0V (max) |
工作电压 | 10V ~ 20V |
封装 | SOIC-8 |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 620 V |
输出电流 | 210 mA |
功耗 | 625 mW |
零部件系列 | IR2101 |
上升时间 | 170ns (Max) |
下降时间 | 90ns (Max) |
下降时间(Max) | 90 ns |
上升时间(Max) | 170 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2101PBF 双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2101PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2101SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
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