类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 14 Pin |
封装 | SOIC-14 |
上升/下降时间 | 150ns, 50ns |
输出接口数 | 2 Output |
功耗 | 1000 mW |
下降时间(Max) | 80 ns |
上升时间(Max) | 220 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 8.65 mm |
宽度 | 3.9 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 14-SOIC
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21064SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
低边 高边 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
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低边 高边 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
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