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IR2106S 数据手册 (23 页)
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IR2106S 技术参数、封装参数

IR2106S 外形尺寸、物理参数、其它

IR2106S 数据手册

Infineon(英飞凌)
23 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
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IR2106 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2106SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2106PBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21064SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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