| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 功耗 | 0.625 W |
| 零部件系列 | IR2106 |
| 上升时间 | 220ns (Max) |
| 下降时间 | 80ns (Max) |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2106SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
International Rectifier（国际整流器）
600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2106PBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21064SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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