| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 150ns, 50ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 350 mA |
| 功耗 | 625 mW |
| 静态电流 | 1.6 µA |
| 上升时间 | 220 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 下降时间(Max) | 80 ns |
| 上升时间(Max) | 220 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.1 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21091SPBF 芯片, 半桥驱动器 单输入
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
