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IR2111S 数据手册 (15 页)
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IR2111S 技术参数、封装参数

IR2111S 外形尺寸、物理参数、其它

IR2111S 数据手册

Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
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IR2111 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
MOS管驱动器芯片
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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