类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
输出接口数 | 2 Output |
功耗 | 625 mW |
下降时间(Max) | 65 ns |
上升时间(Max) | 130 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2111PBF 双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2111SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2111PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2111SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
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