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IR2112SPBF 数据手册 (18 页)
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IR2112SPBF 技术参数、封装参数

IR2112SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IR2112SPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
18 页 / 0.3 MByte
International Rectifier(国际整流器)
16 页 / 0.19 MByte
International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.14 MByte

IR2112 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
TT Electronics Resistors
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
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