类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 16 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | SOIC-16 |
额定功率 | 1.25 W |
上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 600 V |
输出电流 | 200 mA |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 16 Position |
功耗 | 1.25 W |
静态电流 | 180 µA |
上升时间 | 130 ns |
下降时间 | 65 ns |
下降时间(Max) | 65 ns |
上升时间(Max) | 130 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1250 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.5 mm |
宽度 | 7.6 mm |
高度 | 2.65 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 16-SOIC
Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2112SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2112PBF 双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2112PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2112SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
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