类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 625 mW |
上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
输出接口数 | 1 Output |
输出电压 | 620 V |
输出电流 | 250 mA |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 625 mW |
静态电流 | 70 µA |
上升时间 | 80 ns |
下降时间 | 40 ns |
下降时间(Max) | 65 ns |
上升时间(Max) | 130 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高侧,Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
单通道驱动器 SINGLE CHANNEL DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2117SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2117STRPBF 芯片, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2117PBF 功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2117SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
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