| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 下降时间(Max) | 65 ns |
| 上升时间(Max) | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 驱动器，高侧，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
单通道驱动器 SINGLE CHANNEL DRIVER
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2118PBF 功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2118STRPBF 芯片, MOSFET器件类型
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2118SPBF 集成电路, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
International Rectifier（国际整流器）
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