类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | SOIC-8 |
输出接口数 | 1 Output |
输出电压 | 620 V |
输出电流 | 250 mA |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 0.625 W |
零部件系列 | IR2127 |
输出电压(Min) | 12 V |
下降时间(Max) | 65 ns |
上升时间(Max) | 130 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 12V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Each |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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IRF
电流检测单通道驱动器 CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2127SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2127PBF 功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21271SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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