| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | SOIC-28 |
| 上升/下降时间 | 80ns, 35ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电压 | 10.20 V |
| 输出电流 | 420 mA |
| 通道数 | 3 Channel |
| 功耗 | 1600 mw |
| 下降时间(Max) | 55 ns |
| 上升时间(Max) | 125 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1600 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 18.1 mm |
| 宽度 | 7.6 mm |
| 高度 | 2.35 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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International Rectifier（国际整流器）
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
Infineon（英飞凌）
门驱动器 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2132SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-28 新
International Rectifier（国际整流器）
3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
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