| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 封装 | PDIP-28 |
| 上升/下降时间 | 90ns, 40ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电流 | 200 mA |
| 功耗 | 1.5 W |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 下降时间(Max) | 70 ns |
| 上升时间(Max) | 150 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 39.75 mm |
| 宽度 | 14.73 mm |
| 高度 | 6.35 mm |
| 工作温度 | 125℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
3相桥式驱动器 3-PHASE BRIDGE DRIVER
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2133SPBF 驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 700ns延迟, SOIC-28
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2133JTRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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