| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 32 Pin |
| 电源电压 | 12.0V (min) |
| 封装 | PLCC-44 |
| 上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 针脚数 | 44 Position |
| 功耗 | 2000 mW |
| 下降时间(Max) | 75 ns |
| 上升时间(Max) | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 电源电压 | 12V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 12 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.66 mm |
| 宽度 | 16.66 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
Infineon（英飞凌）
门驱动器 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR21363SPBF 芯片, 3相, 桥接器驱动器, 350MA, SOIC-28 新
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