类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 28 Pin |
电源电压 | 12.0V (min) |
封装 | SOIC-28 |
上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
输出接口数 | 6 Output |
功耗 | 1600 mW |
下降时间(Max) | 75 ns |
上升时间(Max) | 190 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1600 mW |
电源电压 | 12V ~ 20V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 18.1 mm |
宽度 | 7.6 mm |
高度 | 2.33 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
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INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
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INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
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门驱动器 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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INTERNATIONAL RECTIFIER IR21363SPBF 芯片, 3相, 桥接器驱动器, 350MA, SOIC-28 新
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