| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 12.0V (min) |
| 封装 | SOIC-28 |
| 上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电压 | 0.3 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 功耗 | 1600 mW |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 下降时间(Max) | 75 ns |
| 上升时间(Max) | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1600 mW |
| 电源电压 | 12V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 12 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 18.1 mm |
| 宽度 | 7.6 mm |
| 高度 | 2.33 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
Infineon（英飞凌）
36 页 / 0.87 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR21365SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, LCC-32 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21365STRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 26A, TO-220AB-3 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
