类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 32 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | PLCC-44 |
上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
输出接口数 | 6 Output |
功耗 | 2000 mW |
下降时间(Max) | 75 ns |
上升时间(Max) | 190 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.66 mm |
宽度 | 16.66 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2136SPBF 桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
International Rectifier(国际整流器)
600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2136PBF 驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, DIP-28
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2136JTRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21364STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8 新
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