| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 44 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | PLCC-44 |
| 上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 针脚数 | 44 Position |
| 功耗 | 2000 mW |
| 静态电流 | 2.3 mA |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 下降时间(Max) | 75 ns |
| 上升时间(Max) | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136SPBF 桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
International Rectifier（国际整流器）
600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136PBF 驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, DIP-28
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136JTRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21364STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8 新
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