| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | DIP |
| 输出接口数 | 3 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 功耗 | 1500 mW |
| 零部件系列 | IR2136 |
| 下降时间(Max) | 75 ns |
| 上升时间(Max) | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136SPBF 桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
International Rectifier（国际整流器）
600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136PBF 驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, DIP-28
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136JTRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21364STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8 新
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