| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 625 mW |
| 上升/下降时间 | 80ns, 45ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 625.3 V |
| 输出电流 | 400 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 静态电流 | 950 µA |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 下降时间(Max) | 100 ns |
| 上升时间(Max) | 150 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 15.6V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
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INFINEON IR2153PBF 芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
Infineon（英飞凌）
IC，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21531STRPBF 芯片, 驱动器, 半桥, 自振荡, 8SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2153SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 250mA输出, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2153DPBF 双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21531DPBF 驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, DIP-8
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PWM（脉冲宽度调制）- FF（固定频率）IC，Infineon### 交流-直流功率转换，Infineon
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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