类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | SOIC-8 |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 625 V |
功耗 | 625 mW |
零部件系列 | IR2153S |
下降时间(Max) | 100 ns |
上升时间(Max) | 150 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 15.6V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
高度 | 1.5 mm |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2153PBF 芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
Infineon(英飞凌)
IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21531STRPBF 芯片, 驱动器, 半桥, 自振荡, 8SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2153SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 250mA输出, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2153DPBF 双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR21531DPBF 驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
PWM(脉冲宽度调制)- FF(固定频率)IC,Infineon### 交流-直流功率转换,Infineon
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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