类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 16 Pin |
电源电压 | 12.0V (min) |
封装 | SOIC-16 |
上升/下降时间 | 25ns, 17ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 12.20 V |
输出电流 | 1.7 A |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 16 Position |
功耗 | 1000 mW |
静态电流 | 180 µA |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 17 ns |
下降时间(Max) | 17 ns |
上升时间(Max) | 25 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
电源电压 | 12V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 12 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.5 mm |
宽度 | 7.6 mm |
高度 | 2.35 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2213SPBF 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12V-20V电源, 2.5A输出, 225ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON IR2213PBF 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12V-20V电源, 2.5A输出, 225ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2213PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
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