类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.2 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 441 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 192A |
上升时间 | 97 ns |
输入电容值(Ciss) | 9500pF @50V(Vds) |
下降时间 | 100 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 441W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 15.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 462 A, 0.00107 ohm, TO-247AC, 通孔
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 304 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, 通孔
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