| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 180 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 180 W |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 85A |
| 上升时间 | 76 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3210pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 180 W |
| 下降时间 | 48 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 180W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 55 V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.28 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1010EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1010NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1010EZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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