类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 100 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 9 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 170 W |
零部件系列 | IRF1104 |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 2900pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 100 A |
输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 170 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.54 mm |
高度 | 15.24 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 100A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1104PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1104PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件