| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 42.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 36 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 零部件系列 | IRF1310N |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1900pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 42.0 A |
| 上升时间 | 56.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.24 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
12 页 / 0.37 MByte
International Rectifier（国际整流器）
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier（国际整流器）
5 页 / 0.04 MByte
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, D2-PAK 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
