类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 42A |
输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件