类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 42.0 A |
封装 | TO-263 |
零部件系列 | IRF1310NS |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 42.0 A |
上升时间 | 56.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新
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