| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 3.8 W |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 42A |
| 上升时间 | 56 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 100 V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.7 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, D2-PAK 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
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