| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 220 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0027 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 190A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4340pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 58 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.29 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404ZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
