类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 230 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0037 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 230 W |
零部件系列 | IRF1405ZS |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
上升时间 | 110 ns |
输入电容值(Ciss) | 4780pF @25V(Vds) |
下降时间 | 82 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 230000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.38 MByte
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 5.3mohm ,ID = 169A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1405ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1405PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 169A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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