| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 230 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4.9 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 230 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 150A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4780pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 82 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 230W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 55 V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.38 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 5.3mohm ，ID = 169A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1405ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1405PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 169A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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