类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-262-3 |
额定功率 | 200 W |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
输入电容值(Ciss) | 5600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.8 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 0.0078ohm ,ID = 130A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1407PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1407PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 130A, TO-220AB 新
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