| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 330 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0078 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 330 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 5600pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 130A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5600pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 W |
| 下降时间 | 140 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 75 V 130A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 0.0078ohm ，ID = 130A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1407PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1407PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 130A, TO-220AB 新
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