| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0053 Ω |
| 功耗 | 556 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 96 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9820pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 97 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 556000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 200 V 182A（Tc） 556W（Tc） TO-247AC
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场效应管(MOSFET) IRF200P223 TO-247AC
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 182 A, 200 V, 0.0053 ohm, 10 V, 4 V
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IRF200B211 系列 200 V 170 mOhm 法兰安装 HEXFET® 功率 Mosfet - TO-220AB
Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, 表面安装
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