| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.014 Ω |
| 功耗 | 417 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon（英飞凌）
18 页 / 1.05 MByte
Infineon（英飞凌）
28 页 / 1.49 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 182 A, 200 V, 0.0053 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
IRF200B211 系列 200 V 170 mOhm 法兰安装 HEXFET® 功率 Mosfet - TO-220AB
Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, 表面安装
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
