类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 330 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0036 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 330 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 5890 pF |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 210A |
上升时间 | 140 ns |
输入电容值(Ciss) | 5890pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 330 W |
下降时间 | 110 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 15.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,40V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
汽车MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2204PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 3.6 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2204SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 40 V, 3.6 mohm, 10 V, 4 V
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