类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
零部件系列 | IRF2804L |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
输入电容值(Ciss) | 6450pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2804STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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单 N 沟道 40 V 330 W 160 nC 汽车 功率 Mosfet 表面贴装-D2PAK-3
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