| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 2.3 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 零部件系列 | IRF2804S |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 6450pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 270 A |
| 输入电容值(Ciss) | 6450pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 4.703 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2804STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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单 N 沟道 40 V 330 W 160 nC 汽车 功率 Mosfet 表面贴装-D2PAK-3
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