类型 描述 引脚数 3 Pin 封装 TO-263-3 极性 N-Channel 功耗 200 W 零部件系列 IRF2805S 漏源极电压(Vds) 55 V 连续漏极电流(Ids) 135 A 输入电容值(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 额定功率(Max) 200 W
类型 描述 产品生命周期 Active 包装方式 Tape & Reel (TR)
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Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF2805SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 4.7 mohm, 10 V, 4 V
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