类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 82.0 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 13 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 230 W |
零部件系列 | IRF2807 |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 3820pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 82.0 A |
上升时间 | 64.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 3820pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 230 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V ,ID = 82A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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