类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 200 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.013 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 82A |
上升时间 | 64 ns |
输入电容值(Ciss) | 3820pF @25V(Vds) |
下降时间 | 48 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 230W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V ,ID = 82A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
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N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF2807SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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