| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 230 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 82A |
| 上升时间 | 64 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3820pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 48 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 230W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.26 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ，ID = 82A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
