| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 7.50 MΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 170 W |
| 零部件系列 | IRF2807Z |
| 漏源极电压(Vds) | 75.0 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 上升时间 | 79.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Bulk |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ，ID = 82A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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