| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 170 W |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 170W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 89A |
| 输入电容值(Ciss) | 3270pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 170W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Roll |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 75 V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ，ID = 82A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2807SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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