| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 330 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170A |
| 上升时间 | 140 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 100 ns |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF2907ZSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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INFINEON IRF2907ZS-7PPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 75 V, 3.8 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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