| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 62A |
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
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