| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-262-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 200W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110A |
| 输入电容值(Ciss) | 3247pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-262
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.59 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205ZLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
