类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
额定功率 | 170 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0049 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 170 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 110A |
上升时间 | 95 ns |
输入电容值(Ciss) | 3450pF @25V(Vds) |
下降时间 | 67 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 170W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
宽度 | 4.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 55 V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
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N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF3205LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新
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INFINEON IRF3205ZLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V 新
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